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金融界2024年10月22日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海积塔半导体有限公司请求一项名为“半导体结构的制备办法及半导体结构”的专利，公开号CN 118765109 A，请求日期为2024年7月。
专利摘要显现，本发明触及一种半导体结构的制备办法及半导体结构。办法有：供给衬底，衬底内具有沿榜首方向相对的榜首有源区及第二有源区，榜首有源区及第二有源区均沿第二方向延伸，榜首方向与第二方向笔直；依据预设规矩，取得榜首掩膜图形及第二掩膜图形，榜首掩膜图形及第二掩膜图形沿榜首方向相对的端部之间具有方针间隔；根据榜首掩膜图形于榜首有源区上构成榜首半导体层，并根据第二掩膜图形于第二有源区上构成第二半导体层。上述半导体结构的制备办法可避开榜首半导体层及第二半导体层之间的桥接现象，确保二者端部之间的间隔到达规划的基本要求，而且平衡二者端部的延伸间隔，一起提高全体工艺的冗余量。